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  1. 项目/

Yellow Jacket 太空计划:航电入职

为火箭硬件在环(HITL)测试设计的 STM32 双通道高精度 RTD 温度采集系统。

概述
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本项目是 Yellow Jacket 太空计划(YJSP)航电部门入职项目的一部分。目标是设计一块 2 层快速测试板,将 STM32H573 微控制器与 ADS114S06 高精度 ADC 集成,用于四线制 PT100 RTD 温度测量,并配套从 24V 输入的完整电源调节链路。

该板作为使用 Altium Designer 培训航电 PCB 设计技能的平台,也是进入硬件在环(HITL)部门的跳板。

板卡 3D 渲染

系统架构
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设计采用 Altium Designer 的层次化原理图结构,组织为由顶层图管理的四个子图:

顶层原理图

电源(Power.SchDoc) — 24V 输入配保险丝过流保护、TVS 二极管用于 ESD 和过压/反接保护、GND 到 CGND 噪声泄放网络,以及 MAX17503 降压 DC-DC 转换器,提供 3.3V(主轨)和 5V LDO(模拟电源)。24V 和 3.3V 轨的电源状态 LED 指示。

MCU(MCU.SchDoc) — STM32H573RIT6(ARM Cortex-M33,250 MHz),配完整去耦网络(VDD/VSS 上六个 100nF 电容,VDDA 上 10nF,VCAP 上 2.2µF),32 MHz 外部晶振(TG2520SMN32.0000M-MCGNNM3),经 FTSH-107-01-F-DV-K-P-TR 14 针连接器的 JTAG 调试接口,以及 SPI 总线上串接 47Ω 电阻(CS、MOSI、SCLK、ECLK、MISO、DRDY)用于信号完整性。

ADC(ADC.SchDoc) — ADS114S06IPBS 16 位 delta-sigma ADC,双电源域(IOVDD/DVDD 用 3.3V 数字电源,AVDD 用 5V LDO 模拟电源),独立 AGND 平面,两路四线制 RTD 前端电路,每路模拟输入配 RC 滤波(1kΩ + 10nF/100nF),以及 0Ω 电阻(R30)桥接 AGND 至 GND。

连接器(Connectors.SchDoc) — MOLEX 430450400 4 针连接器,分别用于 24V 电源输入(J1)、RTD 通道 A(J2)和 RTD 通道 B(J3)。每个 RTD 连接器引出 IDAC、IDACRTN、RTD_P 和 RTD_N 信号。

框图

电源设计
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电源保护原理图

输入保护
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24V 输入通过 BEL 0ZCG0150BF2C 保险丝(F1)进行过流保护,然后经过两个 TVS 二极管:

D1(SMAJ26A) — 箝位在 24V 输入到 GND 之间。提供过压箝位和反接错误保护。若输入电压超过击穿阈值或反接,D1 箝位电压并熔断保险丝,保护下游电路。

D4(SMAJ5.0A) — 箝位在 3V3 轨到 GND 之间。专为 3.3V 电源域提供 ESD 保护和过压/反接错误保护。

接地与噪声泄放
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接地网络在电源地(GND)和机壳地(CGND)之间提供静电泄放和高频噪声滤波:

R1(1MΩ) — 连接 GND 至 CGND,为静电泄放提供受控路径,同时在直流下保持两个地域的隔离。

C2(4.7nF) — 与 R1 并联,为 GND 和 CGND 之间的高频噪声提供低阻抗路径,将瞬态能量分流至机壳。

降压转换器(24V → 3.3V)
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Maxim MAX17503 降压 DC-DC 转换器直接将 24V 输入转换为 3.3V 输出。原理图遵循数据手册参考设计。关键元器件:

输入级 — C3(2.2µF,50V)提供输入去耦。EN/UVLO 引脚设置输入欠压锁定阈值。引脚 12(VCC)的 5V LDO 输出为内部栅极驱动和控制逻辑供电,C4(2.2µF)为旁路电容。

输出级 — L1(XGL3530-682MEC,6.8µH)为连接至 Lx 开关输出(引脚 17-19)的功率电感。C7(47µF)为大容量输出电容。输出电压通过 FB 引脚上由 R4(100kΩ)和 R5(37.4kΩ)组成的反馈分压电阻设置为 3.3V。

辅助 — BST 引脚上的 C6(100nF,50V)为自举电容,高侧 MOSFET 栅极驱动所需。SS 引脚上的 C5(10nF)设置软启动斜坡时间,限制上电时的浪涌电流。RT 引脚悬空(使用内部默认开关频率)。CF 引脚电容用于环路稳定性补偿。

电源状态指示
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两个 LED 提供可视电源状态指示:D2(红色)在 24V 输入存在时点亮,D3(绿色)在 3.3V 输出激活时点亮。R2(2.2kΩ)和 R3(100Ω)分别为对应的限流电阻。

MCU:STM32H573RIT6
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MCU 原理图

电源与去耦
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MCU 电源网络遵循数据手册建议,对每个电源域仔细处理。每个 VDD 引脚(引脚 19、32、48、64)就近布置 100nF 陶瓷电容(C8-C10、C13)。VDDA 模拟电源(引脚 13)通过 100nF(C11)和 10nF(C14)双电容额外滤波,抑制内部 ADC 参考的高频噪声耦合。VCAP 引脚(引脚 30、62)需要 2.2µF 电容(C15、C16)用于内部稳压器。VBAT(引脚 1)通过 R6(100Ω)连接至 3.3V,并配 C12(100nF)用于备份域滤波。MCU_PWR 网络标注提醒每个端口需独立的 100nF 去耦电容,且 VDDA 额外受益于 10nF 滤波。

时钟源
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外部 32 MHz 晶振(TG2520SMN32.0000M-MCGNNM3,标记为 Y1)提供系统时钟,连接至 PH0-OSC_IN(引脚 5)和 PH1-OSC_OUT(引脚 6)。晶振从 3.3V(VCC,引脚 3)供电,C18(100nF)为旁路电容。可选的 32 kHz 辅助振荡器输入在 PC14-OSC32_IN(引脚 3)和 PC15-OSC32_OUT(引脚 4)上可用,但在本设计中悬空。

复位与启动配置
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NRST 引脚(引脚 7)连接 C17(100nF)到 GND,用于上电复位滤波。BOOT0 引脚(引脚 60)通过 R7(10kΩ)拉至 GND,确保 MCU 在正常运行时从内部 Flash 启动。

JTAG 调试接口
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使用 FTSH-107-01-F-DV-K-P-TR 14 针连接器(J4)实现完整 JTAG 接口,同时支持 JTAG 和 SWD 协议。JTMS、JTCK、JTDO、JTDI 和 NRST 信号通过 10kΩ 串联电阻(R8-R11 用于信号线,R9 用于 NRST)进行 ESD 保护和信号调理。C19(100nF)为 T_VCC 电源引脚提供本地去耦。连接器还包含用于调试器存在检测的 GND_DETECT,以及追踪端口功能的 T_VCPRX/T_VCPTX。

SPI 总线接口
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连接至 ADS114S06 的 SPI1 总线信号通过 47Ω 串联电阻(R12-R16)进行阻抗匹配和信号完整性处理。信号映射如下:

MCU 网络串联电阻ADC 信号方向
SPI1_NSSR12 (47Ω)CSMCU → ADC
SPI1_MOSIR13 (47Ω)MOSIMCU → ADC
SPI1_SCKR14 (47Ω)SCLKMCU → ADC
ADC_CLKR15 (47Ω)ECLKMCU → ADC
SPI1_MISOR16 (47Ω)MISOADC → MCU
ADC_RDYR17 (47Ω)DRDYADC → MCU

ADC_CLK 线由 MCU 的 PC9 引脚(引脚 40)驱动,为 ADS114S06 提供外部时钟源。R28 和 R29(0Ω,占位符,待选值)为可选上拉配置,连接 3.3V 轨至 ADC SPI 接口。PD2(引脚 54)标注为可用备用 GPIO。

ADC:ADS114S06IPBS
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ADC 原理图

电源域
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ADS114S06 采用分离电源域运行,将数字噪声与敏感模拟前端隔离。IOVDD(引脚 15)和 DVDD(引脚 16)由 3.3V 数字轨供电,C1(100nF,10% 容差)为本地旁路电容。DGND(引脚 14)连接至数字 GND 平面。模拟电源 AVDD(引脚 26)由 MAX17503 的 5V LDO 输出供电,C20(100nF)和 C22(2.2µF)旁路。AVSS(引脚 27-28)连接至专用 AGND 平面,该平面通过 R30(0Ω)单点连接桥接至 GND。此星形接地拓扑防止数字回流电流流经模拟地平面。

SPI 与控制接口
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数字接口信号(CS、MOSI、SCLK、MISO、DRDY、ECLK)通过层次化图连接器从 MCU 图引入,每路在 MCU 侧均已通过 47Ω 串联电阻预处理。START/SYNC 引脚(引脚 8)直接连接,RESET 引脚(引脚 18)直接连接用于 MCU 控制复位。DRDY 输出(引脚 13)低电平有效中断,直接有效。引脚 12(DOUT/DRDY)在单引脚上提供多路复用数据输出和准备信号。

参考配置
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ADC 对 RTD 测量使用外部比率参考。两路 RTD 通道使用两组独立参考对:REFP1/REFN1(引脚 32/31)用于 RTD 通道 A,REFP0/REFN0(引脚 30/29)用于 RTD 通道 B。REFOUT(引脚 23)和 REFCOM(引脚 24)内部参考输出通过 C21(2.2µF)旁路,但主测量参考来源于流过 RTD 前端电路参考电阻的 IDAC 激励电流。

模拟输入通道与 RTD 前端
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每路 RTD 通道使用专用模拟前端电路,在每条信号路径上进行 RC 滤波,在到达 ADC 输入之前滤除高频干扰。

通道 A(RTD_A) 使用 AIN3/AIN4 进行电压检测,AIN5 用于 IDAC 激励,REFP1/REFN1 为参考对:

信号ADC 引脚滤波器功能
RTD_P → AIN3引脚 4R18 (1kΩ) + C24 (10nF) + C25 (100nF)正电压检测
RTD_N → AIN4引脚 3R19 (1kΩ) + C23 (10nF)负电压检测
IDAC → AIN5引脚 2激励电流输出
IDACRTN → REFP1R21 (1kΩ) + C27 (10nF)激励电流回路 / 参考正端
AGND → REFN1R22 (1kΩ) + C26 (100nF) + C28 (10nF)参考负端

通道 B(RTD_B) 使用 AIN0/AIN1 进行电压检测,AIN2 用于 IDAC 激励,REFP0/REFN0 为参考对:

信号ADC 引脚滤波器功能
RTD_P → AIN0引脚 7R24 (1kΩ) + C29 (10nF) + C34 (100nF)正电压检测
RTD_N → AIN1引脚 6R25 (1kΩ) + C30 (10nF)负电压检测
IDAC → AIN2引脚 5激励电流输出
IDACRTN → REFP0R26 (1kΩ) + C32 (10nF)激励电流回路 / 参考正端
AGND → REFN0R27 (1kΩ) + C31 (100nF) + C33 (10nF)参考负端

RTD 激励回路中的 R20/R23(1kΩ)限制电流并提供额外滤波节点。前端电路中的所有模拟地连接均接至 AGND,与数字 GND 域保持隔离。

连接器
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连接器原理图

三个 MOLEX 430450400 4 针连接器提供外部接口:

J1(电源输入) — 通过电源图的 VIN_PRE 网络接收 24V 电源。引脚 1 承载 VIN_PRE,引脚 2-4 并联接地,提供稳健的低阻抗电源连接。

J2(RTD 通道 A) — 引出四线制 RTD_A 接口。引脚定义为 IDAC(引脚 1)、IDACRTN(引脚 2)、RTD_P(引脚 3)和 RTD_N(引脚 4),与标准四线制 RTD 线缆组件匹配。

J3(RTD 通道 B) — 与 J2 引脚定义相同,用于 RTD_B,实现第二路独立温度测量通道。

PCB 设计
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层叠结构
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为降低成本(也借此练习在有限尺寸下布线),本板采用 2 层设计。

功能
顶层信号布线、元器件放置
底层地平面、次级布线

底层完整地平面提供低阻抗回流路径并减少电磁干扰。

布局策略
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PCB 布局遵循与信号流对齐的模块化放置策略:

  1. 电源输入与保护 — 板卡左上侧,靠近 24V 连接器
  2. Buck 转换器与电源 — IC、电感和电容紧凑布局,宽铜皮走线以最小化开关回路面积
  3. MCU — 板卡中央,去耦电容紧贴每个 VDD 引脚放置
  4. ADC — 靠近 MCU 以缩短 SPI 走线,模拟输入走线远离数字开关噪声;AGND 平面通过单点 0Ω 桥接与数字 GND 隔离
  5. 传感器连接器 — 板边缘,便于线缆接入
  6. SWD/JTAG 接头 — 板边缘,便于编程访问
PCB 布局顶视图
PCB 布局底视图

设计规则
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参数数值
最小走线宽度0.203mm(8mil)
最小间距0.254mm(10mil)
过孔孔径0.3mm
过孔焊盘0.6mm
电源走线宽度≥0.5mm(20mil)
PCB 3D 视图

ERC 与设计审查
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原理图通过了电气规则检查(ERC),所有错误均已解决。审查过程中遇到的主要问题包括:

  • MCU 上未连接的电源引脚需要添加明确的无连接标记
  • 层次化图之间的网络标签不匹配
  • 团队评审人员标记的缺失去耦电容

设计在 Altium 365 上经历了多轮团队审查迭代,融入了元器件选型、布局间距和走线布设方面的反馈。

工具与技能
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Altium Designer
Altium 365
STM32CubeIDE
SPI 协议
层次化原理图设计
Buck 转换器设计
分离电源域 / 星形接地
四线制 RTD 测量
ERC / DRC

收获
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这个入职项目是我从 LCEDA(EasyEDA)迁移到 Altium Designer 生态系统的过渡。最大的调整在于层次化原理图结构(四张子图由顶层图与图间连接器管理)、网表同步工作流(ECO 流程)、每个元器件的手动符号-封装-3D 模型关联,以及更复杂的层管理系统。

从 24V 开始,使用 MAX17503 开关稳压器完整设计一条降至 3.3V 的电源链路——包括保险丝保护、TVS 箝位和 GND/CGND 隔离——是相比我以往项目的重大进步,那些项目通常从 USB 5V 或电池供电开始。学习阅读并实现数据手册参考设计(选择反馈电阻以设定目标输出电压,确定自举和软启动电容的容值,选择功率电感)是我通过这个项目培养的核心技能。

模拟设计方面同样很有价值。为 ADS114S06 实现分离电源域(3.3V 数字 / 5V LDO 模拟),设计 AGND 到 GND 的单点星形接地拓扑(使用 0Ω 桥接电阻),以及在每条 SPI 线上添加 47Ω 串联电阻用于信号完整性——这些都让我明白,精密模拟电路与纯数字系统需要根本不同的设计理念。理解四线制 RTD 测量架构——IDAC 激励、比率参考和 RC 输入滤波如何协同实现高精度温度测量——加深了我对电路设计与测量理论相互关联的理解。

下一步
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完成这块入职板后,我进入了 YJSP HITL 部门,工作范围扩展至:

  • 带专用电源和地平面的 4 层 PCB 设计
  • 基于 LMR36015 的 24V→6V 降压转换器,配 INA228 电流监测
  • PCF8575 GPIO 扩展驱动 ULN2803A 继电器阵列用于阀门控制
  • 多轨电源分配,分离 AGND/GND/CGND 域并使用磁珠隔离

参考资料
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  1. STM32H573RI 数据手册
  2. MAX17503 数据手册
  3. ADS114S0x 数据手册
  4. 四线制 PT100 RTD 低侧参考测量电路
  5. RTD 测量基础指南

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